Pacchetto FDG6316P Transistor ad effetto di campo SOT-363 MOS

Pacchetto FDG6316P Transistor ad effetto di campo SOT-363 MOS

Modello:FDG6316P
Marca: ON Semiconductor
Inventario: 121 pezzi
MOQ: 2 pezzi
Tempi di consegna: 3 giorni
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Descrizione

Pacchetto FDG6316P Transistor ad effetto di campo SOT-363 MOS

Numero di modelloFDG6316P
Tipo FET2 canali P (doppio)
Caratteristica FETCancello di livello logico
Scarica alla fonte12V
Attuale -700 mA
Rds On (Max) @ Id270 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Addebito cancello (Qg)2,4 nC a 4,5 V
Capacità di ingresso146pF @ 6V
Potenza - max300 mW
Pacchetto/scatola6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dispositivo del fornitoreSC-70-6
Operativo-55 grado ~ 150 gradi (TJ)
Pacchetto standard3,000
Altri nomiFDG6316P-ND

Pacchetto FDG6316P Transistor ad effetto di campo SOT-363 MOS

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