FDN327N Transistor ad effetto di campo (MOSFET) N-canale 20V 2A

FDN327N Transistor ad effetto di campo (MOSFET) N-canale 20V 2A

Modello: FDN327N
Marca: ON Semiconductor
Inventario: 914pcs
MOQ: 2 pezzi
Tempi di consegna: 3 giorni
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Descrizione

FDN327N Transistor ad effetto di campo (MOSFET) N-canale 20V 2A

Numero di modelloFDN327N ·
Tipo FETCanale N
Scarica alla fonte20V
Corrente -2A (Ta)
Tensione di azionamento1,8 V, 4,5 V
Vgs(th) (Max)1,5 V @ 250μA
Carica del cancello6,3nC @ 4,5 V
Capacità di ingresso423pF @ 10V
Vgs (Max)±8V
Dissipazione di potenza500mW (Ta)
Rds On (Max)70 mOhm @ 2A, 4,5 V
Dispositivo fornitoreSuperSOT-3 ·
Confezione / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

FDN327N-ND


FDN327N Transistor ad effetto di campo (MOSFET) N-canale 20V 2A

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