Transistor ad effetto di campo MOS BSS84LT1G Transistor a canale P SOT23
| Numero di modello | BSS84LT1G |
| Attuale - | 130 mA (Ta) |
| Vgs(esimo) (massimo) | 2V @ 250µA |
| Carica del cancello | - |
| Capacità di ingresso | 30 pF @ 5 V |
| Scarica alla fonte | 50V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza | 225 mW (Ta) |
| Rds acceso (massimo) | 10 Ohm @ 100 mA, 5 V |
| Altri nomi | BSS84LT1GOSTR |
Transistor ad effetto di campo MOS BSS84LT1G Transistor a canale P SOT23
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