FDN306P Transistor ad effetto di campo (MOSFET) Canale P -20V -5A

FDN306P Transistor ad effetto di campo (MOSFET) Canale P -20V -5A

Modello:FDN306P
Marca: ON Semiconductor
Inventario: 933 pezzi
MOQ: 2 pezzi
Tempi di consegna: 3 giorni
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Descrizione

FDN306P Transistor ad effetto di campo (MOSFET) Canale P -20V -5A

Numero di modelloFDN306P
TecnologiaMOSFET (ossido di metallo)
Scarica alla fonte12V
Attuale -2.6A (Ta)
Tensione di azionamento1.8V, 4.5V
Vgs(esimo) (massimo)
1.5V @ 250µA
Carica del cancello17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso1138pF @ 6V
Rds acceso (massimo)40 mOhm @ 2,6 A, 4,5 V
Operativo-55 grado ~ 150 gradi (TJ)
Altri nomi

FDN306P_F095


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FDN306P Transistor ad effetto di campo (MOSFET) Canale P -20V -5A

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